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Halbleiter / Halbleiterdioden

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 Halbleiter Halbleiter
Elektrische Leitfähigkeit von Leitern, Halbleitem,
Nichtleitern > Bändermodell
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-Bändermodell -Kristallgittermodell -P und N Dotierung -Diode -Solarzelle -Energiestufendiagramm -Eigentleitung und Störstellenleitung

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Halbleiter Halbleiter Elektrische Leitfähigkeit von Leitern, Halbleitem, Nichtleitern > Bändermodell >hängt 21 22 von den Elektronen im Leitungsband ab Halbleiter Leiter Nichtleiter Halbleiter Leitungs- band ↑Energie- lucke Valenz- band. Leitungs- band Energie- Lücke Valenz- band. -keine freien Eleutronen - Aktivierungsenergie im Leitungsband - Strom kam night geleitet werden. Leitungs- • band Valenz- • band freie Eleutronen (Eleutronengas) muss aufgewendet werden Bänder überlappen. ↳somit springen - keine Aktivierungsenergie Eleutronen ins Leitungsband nötig - Laitet Heißleiter: NTC > Silizium > Si Kaltleiter: Eisen Ohmscher Leiter: Konstantan Fotowiderstand: LOR Heißleiter: Beleuchtungs- stärke Kaltleiter: алежнай stärke Ohmscher Leiter: 14 H > Beleuchtungs- Spamungu Temperatur Spannungu Fotowiderstand: پر stake Beleuchtungs- Temperatur (U=R·1) Beleuchtungs- Temperatur Spannung u stärke Stromstärke I Stromstă I Spannung u Heißleiter NTC (Silizium 2.B) î↓ Temperatur gent hoch. Widerstand wird geringer Kristallgittermodell erklären: Heißleitor: Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si -keine angelegte Spannung Si in 8 i + Elektronen- paarlandung Je höher die Temperatur, je stärker wird die Eleutronen- und Löcherleitung -angelegte Spannung - Elektronen wollen zum трог •positiv gela- done Löcher entstehen P-dotieren und n-dotieren dotieren: Einfügen von Frandatomen n-dotieren: Fremdatam aus der 5. Haudgruppe wird eingebaut (1 Elektron mehr) Fremdatome → Donatoren p-dotieron: Fremdaton aus der 3. Hauptgruppe wird eingebaut (1 positives Loon entstent) ↳ Fremdatome > Akzeptoren Si dotieren: Si р- Si Si dotieren Si As Si AL Eleutron übrig 1 positives Loon entstent (Eleutronenfentsteve)

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