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Dioden und Transistoren

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Innerer Aufbau einer Diode
Eine Halbleiterdiode, kurz auch Diode genannt, ist ein elektronisches Bauelement,
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Dioden und Transistoren Innerer Aufbau einer Diode Eine Halbleiterdiode, kurz auch Diode genannt, ist ein elektronisches Bauelement, das aus zwei unterschiedlich dotierten Schichten desselben Grundmaterials aufgebaut ist. Sie besteht aus einem n-Halbleiter und einem p-Halbleiter sowie dem Bereich zwischen beiden Schichten, dem pn-Übergang. H P-Dotiert Diode Sperrschicht Soukeina Hussein N-Dottert Begründung der Entstehung der Sperrschicht in der Diode Eine Sperrschicht entsteht, wenn keine freien Ladungsträger verfügbar sind. Eine Diode besteht aus 2 Teilen, dem n-dotierten Bereich mit Elektronen als freien Ladungsträgern und dem p-dotierten Bereich mit Löchern als "freien Ladungsträgern". Ist die Diode in Sperrrichtung, sind im mittleren Bereich weder Elektronen (im n-Gebiet), noch freie Löcher (im p-Gebiet) vorhanden. Entstehung der Gegenspannung in der Diode Wenn ein p-dotierter Bereich an einen n-dotierten Bereich grenzt (wie beim klassischen pn-Übergang), dann führt dieses Ungleichgewicht der Ladungsträger-Konzentration dazu, dass sich die Konzentrationen ausgleichen möchten (durch "Diffusion"). Dieser "Diffusionsdruck" führt dann dazu, dass negative Ladungsträger (Elektronen) vom n- in den p-Bereich wandern (diffundieren). Dabei werden also die "Löcher" im p-Bereich aufgefüllt und der Überschuß an Elektronen im n-Bereich wird abgebaut. Damit sind im engeren Bereich um die Trennstelle dann keine freien Ladungsträger mehr verfügbar. Das bildet dann die sog. Sperrschicht. Dieser Vorgang (ohne äußere Spannung) kommt alleine zum Stillstand, da sich durch diese Ladungsträger-Wanderung im Bereich der Grenzschicht eine Spannung aufbaut (Diffusionsspannung), die dem Diffusions-Bestreben der Elektronen entgegengesetzt ist und den Vorgang stoppt. Dieser...

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