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Physik /
Dioden und Transistoren
Lena Schmidt
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Dioden und Transistoren Innerer Aufbau einer Diode Eine Halbleiterdiode, kurz auch Diode genannt, ist ein elektronisches Bauelement, das aus zwei unterschiedlich dotierten Schichten desselben Grundmaterials aufgebaut ist. Sie besteht aus einem n-Halbleiter und einem p-Halbleiter sowie dem Bereich zwischen beiden Schichten, dem pn-Übergang. H P-Dotiert Diode Sperrschicht Soukeina Hussein N-Dottert Begründung der Entstehung der Sperrschicht in der Diode Eine Sperrschicht entsteht, wenn keine freien Ladungsträger verfügbar sind. Eine Diode besteht aus 2 Teilen, dem n-dotierten Bereich mit Elektronen als freien Ladungsträgern und dem p-dotierten Bereich mit Löchern als "freien Ladungsträgern". Ist die Diode in Sperrrichtung, sind im mittleren Bereich weder Elektronen (im n-Gebiet), noch freie Löcher (im p-Gebiet) vorhanden. Entstehung der Gegenspannung in der Diode Wenn ein p-dotierter Bereich an einen n-dotierten Bereich grenzt (wie beim klassischen pn-Übergang), dann führt dieses Ungleichgewicht der Ladungsträger-Konzentration dazu, dass sich die Konzentrationen ausgleichen möchten (durch "Diffusion"). Dieser "Diffusionsdruck" führt dann dazu, dass negative Ladungsträger (Elektronen) vom n- in den p-Bereich wandern (diffundieren). Dabei werden also die "Löcher" im p-Bereich aufgefüllt und der Überschuß an Elektronen im n-Bereich wird abgebaut. Damit sind im engeren Bereich um die Trennstelle dann keine freien Ladungsträger mehr verfügbar. Das bildet dann die sog. Sperrschicht. Dieser Vorgang (ohne äußere Spannung) kommt alleine zum Stillstand, da sich durch diese Ladungsträger-Wanderung im Bereich der Grenzschicht eine Spannung aufbaut (Diffusionsspannung), die dem Diffusions-Bestreben der Elektronen entgegengesetzt ist und den Vorgang stoppt. Dieser...
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Gleichgewichtszustand stellt sich bei Silizium-Dioden ungefähr bei 0.6..0,7 Volt ein (abhängig von Dotierung) und muss erst einmal überwunden werden, wenn beim Anlegen einer äußeren Spannung die "Gegenspannung" überwunden werden muss, damit ein merklicher Strom fließen kann. Kennlinie einer Diode Kennlinie: Der im Durchlassbetrieb fließende Strom als Funktion der angelegten Spannung (e-Funktion) Begründung für Durchlass- und Sperrrichtung Dass eine Diode aus zwei unterschiedlichen Halbleiterbauelementen so aufgebaut ist, was bewirkt, dass sie in Durchlassrichtung leitend wird, in Sperrrichtung aber nicht. An der Grenzfläche der beiden Elemente entsteht befindet sich, wenn keine Spannung anliegt, eine natürliche Sperrschicht, die nicht leitend ist. Wird die Diode in Durchlassrichtung betrieben, bewirkt die anliegende Spannung den Abbau der Sperrschicht, so dass die Diode leitend wird. In Sperrichtung geschaltet, bewirkt die anliegende Spannung eine Vergrößerung der Sperrschicht im Vergleich zum spannungsfreien Zustand. Beschreibung des inneren Aufbaus eines npn-Transistors Der NPN-Transistor besteht aus zwei n-leitenden Schichten. Dazwischen liegt eine dünne p-leitende Schicht. Der PNP-Transistor besteht aus zwei p-leitenden Schichten. Dazwischen liegt eine dünne n-leitende Schicht. B E n Р n I O KD ¥ Beschreibung von Funktions- und Wirkungsweise eines Transistors Ein Transistor (NPN) besteht im Prinzip aus zwei Halbleiterdioden, die entgegengesetzt geschaltet sind. Die Anschlüsse sind Emitter (N), Basis (P) und Kollektor (N). In einer ganz einfachen Transistorschaltung (Emitter-Schaltung) wird der Emitter an Minus angeschlossen, der Kollektor an einen Verbraucher (z.B. Lampe) und der Verbraucher auch an Plus. Im Normalfall kann kein Strom durch den Transistor fließen, weil die Basis-Kollektor-Diode in Sperrrichtung ist. Wird nun an die Basis eine (kleine) positive Spannung angeschlossen, so werden Elektronen, die im Emitter sind von der Basis angezogen und beschleunigt. Die Basis ist nur sehr dünn, die meisten Elektronen fliegen mit ihrer Geschwindigkeit einfach durch die Basis durch und kommen in den Bereich des Kollektors. Dort werden sie durch den "Pluspol" angezogen und fließen durch den Verbraucher zum Pluspol. Ein kleiner Teil der Elektronen bleibt in der Basis "hängen" und fließt an dem Anschluss ab zu der kleinen Spannungsquelle, die an der Basis angeschlossen wurde. Es ist nun so, dass "zufällig" das Verhältnis von Elektronen, die zur Basis abfließen zu den Elektronen, die durchfliegen für einen großen Bereich gleich ist... Das ist dann der Verstärkungsfaktor.
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Dioden und Transistoren Innerer Aufbau einer Diode Eine Halbleiterdiode, kurz auch Diode genannt, ist ein elektronisches Bauelement, das aus zwei unterschiedlich dotierten Schichten desselben Grundmaterials aufgebaut ist. Sie besteht aus einem n-Halbleiter und einem p-Halbleiter sowie dem Bereich zwischen beiden Schichten, dem pn-Übergang. H P-Dotiert Diode Sperrschicht Soukeina Hussein N-Dottert Begründung der Entstehung der Sperrschicht in der Diode Eine Sperrschicht entsteht, wenn keine freien Ladungsträger verfügbar sind. Eine Diode besteht aus 2 Teilen, dem n-dotierten Bereich mit Elektronen als freien Ladungsträgern und dem p-dotierten Bereich mit Löchern als "freien Ladungsträgern". Ist die Diode in Sperrrichtung, sind im mittleren Bereich weder Elektronen (im n-Gebiet), noch freie Löcher (im p-Gebiet) vorhanden. Entstehung der Gegenspannung in der Diode Wenn ein p-dotierter Bereich an einen n-dotierten Bereich grenzt (wie beim klassischen pn-Übergang), dann führt dieses Ungleichgewicht der Ladungsträger-Konzentration dazu, dass sich die Konzentrationen ausgleichen möchten (durch "Diffusion"). Dieser "Diffusionsdruck" führt dann dazu, dass negative Ladungsträger (Elektronen) vom n- in den p-Bereich wandern (diffundieren). Dabei werden also die "Löcher" im p-Bereich aufgefüllt und der Überschuß an Elektronen im n-Bereich wird abgebaut. Damit sind im engeren Bereich um die Trennstelle dann keine freien Ladungsträger mehr verfügbar. Das bildet dann die sog. Sperrschicht. Dieser Vorgang (ohne äußere Spannung) kommt alleine zum Stillstand, da sich durch diese Ladungsträger-Wanderung im Bereich der Grenzschicht eine Spannung aufbaut (Diffusionsspannung), die dem Diffusions-Bestreben der Elektronen entgegengesetzt ist und den Vorgang stoppt. Dieser...
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Gleichgewichtszustand stellt sich bei Silizium-Dioden ungefähr bei 0.6..0,7 Volt ein (abhängig von Dotierung) und muss erst einmal überwunden werden, wenn beim Anlegen einer äußeren Spannung die "Gegenspannung" überwunden werden muss, damit ein merklicher Strom fließen kann. Kennlinie einer Diode Kennlinie: Der im Durchlassbetrieb fließende Strom als Funktion der angelegten Spannung (e-Funktion) Begründung für Durchlass- und Sperrrichtung Dass eine Diode aus zwei unterschiedlichen Halbleiterbauelementen so aufgebaut ist, was bewirkt, dass sie in Durchlassrichtung leitend wird, in Sperrrichtung aber nicht. An der Grenzfläche der beiden Elemente entsteht befindet sich, wenn keine Spannung anliegt, eine natürliche Sperrschicht, die nicht leitend ist. Wird die Diode in Durchlassrichtung betrieben, bewirkt die anliegende Spannung den Abbau der Sperrschicht, so dass die Diode leitend wird. In Sperrichtung geschaltet, bewirkt die anliegende Spannung eine Vergrößerung der Sperrschicht im Vergleich zum spannungsfreien Zustand. Beschreibung des inneren Aufbaus eines npn-Transistors Der NPN-Transistor besteht aus zwei n-leitenden Schichten. Dazwischen liegt eine dünne p-leitende Schicht. Der PNP-Transistor besteht aus zwei p-leitenden Schichten. Dazwischen liegt eine dünne n-leitende Schicht. B E n Р n I O KD ¥ Beschreibung von Funktions- und Wirkungsweise eines Transistors Ein Transistor (NPN) besteht im Prinzip aus zwei Halbleiterdioden, die entgegengesetzt geschaltet sind. Die Anschlüsse sind Emitter (N), Basis (P) und Kollektor (N). In einer ganz einfachen Transistorschaltung (Emitter-Schaltung) wird der Emitter an Minus angeschlossen, der Kollektor an einen Verbraucher (z.B. Lampe) und der Verbraucher auch an Plus. Im Normalfall kann kein Strom durch den Transistor fließen, weil die Basis-Kollektor-Diode in Sperrrichtung ist. Wird nun an die Basis eine (kleine) positive Spannung angeschlossen, so werden Elektronen, die im Emitter sind von der Basis angezogen und beschleunigt. Die Basis ist nur sehr dünn, die meisten Elektronen fliegen mit ihrer Geschwindigkeit einfach durch die Basis durch und kommen in den Bereich des Kollektors. Dort werden sie durch den "Pluspol" angezogen und fließen durch den Verbraucher zum Pluspol. Ein kleiner Teil der Elektronen bleibt in der Basis "hängen" und fließt an dem Anschluss ab zu der kleinen Spannungsquelle, die an der Basis angeschlossen wurde. Es ist nun so, dass "zufällig" das Verhältnis von Elektronen, die zur Basis abfließen zu den Elektronen, die durchfliegen für einen großen Bereich gleich ist... Das ist dann der Verstärkungsfaktor.