Alternativer Bildtext:

verschwinden Elektronen und Löcher wieder, wobei die Elektronen an den Löcherstellen als Valenzelektronen wieder in die Bindung eingebaut werden. Die Anzahl der Leitungselektronen und Löcher nimmt mit der Temperatur und der Intensität des eingestrahlten Lichtes zu, ist aber bei einer bestimmten Temperatur und Lichtintensität im Mittel Konstant. In einem Halbleiter erfolgt die Elektrizitätsleitung unter dem Einfluss eines electrischen Feldes durch einen Elektronenstrom (n-Leitung) und einem Löcher Strom (p-leitung). FREMDLEITUNG (Dotierung) Die Eigenleitung. in-Dotierug von Silicium lässt sich durch einen Trick" steigern: ·Ö:0:Ö• 0:0:0 Dotierung mit einem Element der 5. Haupt gruppe (z. B. Phosphor oder Arsen) •p-Dotierung Ein Außenelektron bleibt übrig" und steht für eine h-Leitung zur Verfügung. Phosphor wird als Dona for bezeichnet (lat. donare = Schenken) Dotieren mit einem Element der 3. Hauptgruppe (z. B. Bor, Aluminium, Gallium, Indium) ·0:0:0. Ein Loch bleibt übrig" und steht für eine p-Leitung zur Verfügung. Bor wird als Akzeptor bezeichnet (lat. accipere = annehmen Unter der Dotierung versteht man den Einbau von Fremd atomen in einen reinen Halbleiter Kristall, um dessen Zeit fähigkeit zu erhöhen HALBLEITERDIODE Eine (Halbleiter-) Diode besteht im wesentlichen aus einem Kristall, in dem ein p-leitender Bereich (z.B. p-Silicium) und ein n-leitender Bereich (2.B. n-Silicium) aneinander grenzen. Man spricht deshalb von einem p-n-Übergang. O O Ⓒ O O ✪ + O O Ⓒ Ⓒ Wenn p-Silicium und n-Silicium einander berühren, setzt ein Diffusionsvorgang ein. Freie Elektronen aus der n-Schicht wandern durch die Grenzfläche in die p-Schicht und füllen dort die Löcher (Rekombination). Dadurch entsteht eine Schmale Zone um die Grenzfläche, in welcher Keine Elektronen und Löcher mehr vorhanden sind, die Zone ist also nicht leitend. Man nennt sie Sperrschicht. + to O Ⓒ ✪ + Die Diode ist in Durchlassrichtung in den Stromkreis eingebaut d. ihre p-Schicht ist mit dem Pluspol und ihre n-Schicht ist mit dem Minuspol verbunden. Von der n-Schicht werden Elektronen in die Grenz- Schicht getrieben, auf derp-Seite wandern Elektronen zum Pluspol ab und es entstehen neue Löcher in der Grenz- Schicht. Die Grenzschicht wird immer Schmaler und ist bei einer bestimmten Schwellenspannung / Schleusenspannung verschwunden - Die Diode leitet. Schaltsymbol: K+ Embulenstraße +++Ⓡ O O + O Die n-dotierte Seite der Sperrschicht ist jetzt positiv geladen, die p-dotierte Sperr- Schicht ist negativ. Von der n-Schicht können Somit keine Elektronen mehr in die p-Schicht springen. Die Sperrschicht wirkt wie ein hochonmiger Widerstand und ist durch eine angelegte Spannung steuerbar. Ⓒ Q toto Wenn die Diode in Sperrrichtung geschaltet ist, werden in der n-Schicht die freien Elektronen durch die angelegte Spannung von der Grenzfläche weggedrängt, in der p-Schicht recombinieren die Elektronen mit Löchern, sodass die Löcher Scheinbar zum Minuspol wandern. Die Sperrschicht wird breiter und es fließt kein Strom. Schaltsymbol: Eine Halbleiterdiode stellt im Stromkreis einen Widerstand dar. Im folgenden Diagramm ist die Kennlinie einer Silicium- und einer Germanium diode, d.h die Abhanigkeit des Dioden Stroms von der anliegenden Spannung, zu sehen. I in MA 80- 60- 40+ 20 0 n-HL P-HL Ge Si 0₁² 9,4 0,6 0,8 110 Schleußenspannung: Ge: 0.3V Si: 0,6 V 1.2 U in V Anwendung: - Als Gleichrichter: Dioden konnen aufgrund ihrer Durchlassrichtung eine anliegende Wechselspannung in pulsierende Gleich Spannung umwandeln •Als Leuchtdiode (LED): Bei Anliegen einer Spannung wird Licht ausgesendet. Schaltsymbol: